Technologie Punch-Through pour un Rendement Maximal
Le transistor IGBT PT 1,2kV référence APT25GP120BG se distingue par sa vitesse de commutation supérieure. Cette caractéristique intrinsèque de la technologie Punch-Through développée par Microchip Technology permet de réduire drastiquement l'énergie perdue sous forme de chaleur lors des phases d'ouverture et de fermeture du circuit électrique.
Une Puissance de 417W au Service de l'Industrie
Destiné aux applications de forte puissance, ce transistor tolère un courant continu de 33A sous une tension maximale de 1,2kV. Le boîtier TO247-3 offre la surface de contact nécessaire pour un transfert thermique efficace vers un radiateur, garantissant ainsi que le composant reste dans sa plage de fonctionnement nominale.
Détails du Produit et Brochage
- Broche 1 : Grille (Gate) pour le contrôle de la commutation.
- Broche 2 : Collecteur (Collector) acceptant jusqu'à 1200V.
- Broche 3 : Émetteur (Emitter) pour la sortie du courant.
Ce modèle convient pour la rénovation de modules de puissance ou la création de prototypes de conversion d'énergie nécessitant des performances stables et quantifiables.
